俄罗斯科学院:改进磁传感器取得突破


俄罗斯科学院:改进磁传感器取得突破

俄罗斯科学院发布消息称,其西伯利亚分院克拉斯诺亚尔斯克科学中心(联邦研究中心)基连斯基物理研究所的科学家首次发现,由金属(铁磁体)、氧化物和硅衬底(半导体)组成的混合结构具有高磁阻值,该结构的电阻可随光学效应发生改变,并可通过磁场来控制电压。该效应的本质是混合结构中的电子在移动时,对磁场更为敏感。利用这一特性,可制造具有特定磁导率的材料,研制出由磁场控制的电子设备,并扩展现有磁传感器性能。

此外,据研究专家介绍,这种基于半导体形成的混合结构与现代电子产品的工艺基础——CMOS技术(互补金属氧化物半导体)完全兼容。目前,俄科学家正在继续研究混合结构以及其它成分和组态的导电性。

磁传感器是把磁场、电流、应力应变、温度、光等外界因素引起敏感元件磁性能变化转换成电信号,以这种方式来检测相应物理量的器件。

磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中,有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数。
欢迎您访问b2b6
分享到: